NTQS6463R2

onsemi

NTQS6463R2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP

Устаревший8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Базовый Part NumberNTQS64
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 5 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность930mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)