NTNS4C69NTCG

onsemi

NTNS4C69NTCG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH SMD

Устаревший3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 300mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность178mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Корпус производителяSOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)