NTNS2K1P021ZTCG

onsemi

NTNS2K1P021ZTCG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN

В производстве3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 100mA, 4.5V
Базовый Part NumberNTNS2
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12800 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C127mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность125mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Корпус производителя3-XDFN (0.42x0.62)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)