NTMYS8D0N04CTWG

onsemi

NTMYS8D0N04CTWG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK

В производствеSOT-1023, 4-LFPAKАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.1mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds625 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 30µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 49A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 38W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Корпус производителяLFPAK4 (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)