NTMYS4D5N04CTWG

onsemi

NTMYS4D5N04CTWG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 20A/80A 4LFPAK

В производствеSOT-1023, 4-LFPAKАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 50µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.6W (Ta), 55W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Корпус производителяLFPAK4 (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)