NTMYS2D9N04CLTWG

onsemi

NTMYS2D9N04CLTWG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 27A/110A 4LFPAK

В производствеSOT-1023, 4-LFPAKАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 11µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 110A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.7W (Ta), 68W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Корпус производителяLFPAK4 (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)