NTMYS025N06CLTWG

onsemi

NTMYS025N06CLTWG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK

В производствеSOT-1023, 4-LFPAKАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs27.5mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 13µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta), 21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 24W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
Корпус производителяLFPAK4 (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)