Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | NTMTSC1 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7630 pF @ 50 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 650µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 267A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 5.1W (Ta), 291W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Корпус производителя | 8-TDFNW (8.3x8.4) |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|