NTMTSC1D5N08MC

onsemi

NTMTSC1D5N08MC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.56mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10400 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияDual Cool™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 287A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.3W (Ta), 250W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-TDFNW (8.3x8.4)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)