NTMT150N65S3HF

onsemi

NTMT150N65S3HF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

Снят с производства4-PowerTSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1985 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияSuperFET® III, FRFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 540µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность192W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
Корпус производителя4-PQFN (8x8)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)