NTMT110N65S3HF

onsemi

NTMT110N65S3HF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

В производстве4-PowerTSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2635 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSuperFET® III, FRFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 740µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность240W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
Корпус производителя4-PQFN (8x8)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)