NTMFSC4D2N10MC

onsemi

NTMFSC4D2N10MC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 44A, 10V
Базовый Part NumberNTMFSC4
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2856 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29.6A (Ta), 116A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность7.9W (Ta), 122W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-DFN (5x6.15)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)