Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660 pF @ 25 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 235A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.8W (Ta), 166W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-DFN (5x6.15) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|