NTMFS4H02NT3G

onsemi

NTMFS4H02NT3G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

Устаревший8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2651 pF @ 12 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta), 193A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.13W (Ta), 83W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)