Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 30A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | NTMFS4 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1252 pF @ 15 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 52A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 760mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Корпус производителя | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|