NTMFS0D8N02P1ET1G

onsemi

NTMFS0D8N02P1ET1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.68mOhm @ 46A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8600 pF @ 13 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 2mA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Ta), 365A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.2W (Ta), 139W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)