NTMFS006N12MCT1G

onsemi

NTMFS006N12MCT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 46A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3365 pF @ 60 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 260µA

Электрические

Напряжение сток-исток120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 93A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.7W (Ta), 104W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)