NTMFD4C86NT3G

onsemi

NTMFD4C86NT3G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 30A, 10V
Базовый Part NumberNTMFD4
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1153pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.3A, 18.1A
Power - Max1.1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-DFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)