NTMFD4C20NT3G

onsemi

NTMFD4C20NT3G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberNTMFD4
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds970pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A, 13.7A
Power - Max1.09W, 1.15W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)