NTMFD0D9N02P1E

onsemi

NTMFD0D9N02P1E

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Базовый Part NumberNTMFD0D9
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 340µA, 2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 30A (Ta)
Power - Max960mW (Ta), 1.04W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)