NTMD3N08LR2

onsemi

NTMD3N08LR2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs215mOhm @ 2.5A, 10V
Базовый Part NumberNTMD3
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 25V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max3.1W

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC