NTLJS3A18PZTWG

onsemi

NTLJS3A18PZTWG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN

Устаревший6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2240 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность700mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-WDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)