NTLJS2103PTAG

onsemi

NTLJS2103PTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN

Устаревший6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1157 pF @ 6 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность700mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-WDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)