NTLJS053N12MCLTAG

onsemi

NTLJS053N12MCLTAG

Аналоговые и силовые компоненты

PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 5.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520 pF @ 60 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 30µA

Электрические

Напряжение сток-исток120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность620mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-UDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)