NTLJD4116NT1G

onsemi

NTLJD4116NT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN

В производстве6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 4.5V
Базовый Part NumberNTLJD41
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds427pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A
Power - Max710mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-WDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)