NTLJD3119CTAG

onsemi

NTLJD3119CTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN

Устаревший6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.8A, 4.5V
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds271pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияµCool™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A, 2.3A
Power - Max710mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-WDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)