NTLJD2104PTBG

onsemi

NTLJD2104PTBG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

Устаревший6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 4.5V
Базовый Part NumberNTLJD21
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds467pF @ 6V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A
Power - Max700mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-WDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)