NTLGD3502NT2G

onsemi

NTLGD3502NT2G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

В производстве6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Базовый Part NumberNTLGD3502
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A, 3.6A
Power - Max1.74W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-DFN (3x3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)