NTJS4160NT1G

onsemi

NTJS4160NT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6

Устаревший6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность300mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSC-88/SC70-6/SOT-363

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)