NTHS5445T1

onsemi

NTHS5445T1

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Базовый Part NumberNTHS54
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.3W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителяChipFET™

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)