NTHD4102PT3G

onsemi

NTHD4102PT3G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Базовый Part NumberNTHD4102
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 16V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Power - Max1.1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителяChipFET™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)