NTHD3102CT1G

onsemi

NTHD3102CT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET

Снят с производства8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Базовый Part NumberNTHD3102
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3.1A
Power - Max1.1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителяChipFET™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)