NTHD3100CT3

onsemi

NTHD3100CT3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Базовый Part NumberNTHD3100
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds165pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A, 3.2A
Power - Max1.1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителяChipFET™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)