NTHD2102PT1

onsemi

NTHD2102PT1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Базовый Part NumberNTHD21
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715pF @ 6.4V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A
Power - Max1.1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителяChipFET™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)