NTH4L027N65S3F

onsemi

NTH4L027N65S3F

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

В производствеTO-247-4Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs27.4mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7690 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияFRFET®, SuperFET® III
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 3mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность595W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-4
Корпус производителяTO-247-4L

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)