NTGD4167CT1G

onsemi

NTGD4167CT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Базовый Part NumberNTGD4167
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds295pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A, 1.9A
Power - Max900mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)