NTGD4161PT1G

onsemi

NTGD4161PT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 2.1A, 10V
Базовый Part NumberNTGD41
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds281pF @ 15V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Power - Max600mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)