NTGD3149CT1G

onsemi

NTGD3149CT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A 6TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.5A, 4.5V
Базовый Part NumberNTGD31
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds387pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A, 2.4A
Power - Max900mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)