NTGD3148NT1G

onsemi

NTGD3148NT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Базовый Part NumberNTGD3148
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max900mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-50°C ~ 150°C (TJ)