Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 30A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | NTD48 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 990 pF @ 12 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta), 49A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус производителя | I-PAK |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|