NTD360N80S3Z

onsemi

NTD360N80S3Z

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 800V 13A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1143 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSuperFET® III
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 300µA

Электрические

Напряжение сток-исток800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность96W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяD-PAK (TO-252)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)