NTD23N03RT4

onsemi

NTD23N03RT4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.14W (Ta), 22.3W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)