NTD14N03RT4G

onsemi

NTD14N03RT4G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds115 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.04W (Ta), 20.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)