NTBL050N65S3H

onsemi

NTBL050N65S3H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE

Снят с производства8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 24.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4880 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4.8mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность305W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителя8-HPSOF

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)