NTB65N02RT4

onsemi

NTB65N02RT4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.04W (Ta), 62.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)