NTB60N06LT4

onsemi

NTB60N06LT4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 30A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3075 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Ta), 150W (Tj)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)