NTB5D0N15MC

onsemi

NTB5D0N15MC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 97A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6300 pF @ 75 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 532µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 139A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 214W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяTO-263 (D2PAK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)