NTB5605PG

onsemi

NTB5605PG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 8.5A, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность88W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)