NTB5426NT4G

onsemi

NTB5426NT4G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5800 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность215W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)