NTB011N15MC

onsemi

NTB011N15MC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

NTB011N15MC

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.9mOhm @ 41A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2810 pF @ 75 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 223µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.5A (Ta), 75.4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.75W (Ta), 136.4W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяTO-263 (D2PAK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)